Лазерные элементы

ЛАЗЕРНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ	Научно-исследовательский институт "ПОЛЮС" имеет 30-летний опыт разработки и производства кристаллов и компонентов для лазерной промышленности.
	АИГ:Nd АИГ:Cr⁴⁺ АИГ:Cr, Tm, Ho АИ:Er Ti: корунд	KTP BBO LiNbO₃ Lu₂SiO₅

Активные элементы АИГ:Nd
(основные технические характеристики)

Активные элементы АИГ:Nd для непрерывного режима работы

Параметры кристалла:
	ориентация	[100] в пределах одного градуса
	уровень легирования	0,6...0,8% ат. Nd
Размер:
	диаметр	4 мм; 5 мм; 6,3 мм
	длина	100 мм; 130 мм
	допуск: по диаметру по длине	± 0,1 мм ± 0,5 мм
Конфигурация	Стержень с плоскими торцами и с антиотражающими покрытиями
Плоскостность		1/10 l
Параллелизм		в пределах 10 ''
Перпендикулярность		в пределах 1 '
Царапины, выколки		10^-5MIL-O-13830A
Отражение (на 1,4 ... 1,5 мкм)		менее 0,2%

Активные элементы АИГ:Nd для импульсного режима работы

Параметры кристалла:
	ориентация	[100] в пределах одного градуса
	уровень легирования	1,0% ат. Nd
Размер:
	диаметр	5 мм; 6,3 мм; 8 мм
	длина	50 мм; 100 мм
	допуск: по диаметру по длине	± 0,1 мм ± 1,0 мм
Конфигурация	Стержень с плоскими торцами и с антиотражающими покрытиями
Плоскостность		1/10 l
Параллелизм		в пределах 10 ''
Перпендикулярность		в пределах 1 '
Царапины, выколки		10^-5MIL-O-13830A
Отражение (на 1,4 ... 1,5 мкм)		менее 0,2%

Кристаллы АИГ:Cr⁴⁺

Кристаллы АИГ:Cr⁴⁺ могут быть использованы в качестве активных лазерных элементов для твердотельных перестраиваемых лазеров, работающих в непрерывном или импульсном режимах, в режиме синхронизации мод и имеющих область перестройки длины волны в диапазоне 1.34... 1.58 мкм, а также в качестве среды для модуляторов добротности в лазерах, работающих на длине волны 0.95...1.1 мкм.

Свойства кристаллов АИГ:Cr⁴⁺

Механические свойства:
	твердость по Моосу	8,5
	теплопроводность	12 Вт·K·м^-1
	dn/dt	8·10^-6 K^-1
Спектральные свойства:
	рабочий переход	³A₂ - ³T₂
	полоса поглощения	900 - 1150 нм
	полоса излучения	1340 - 1580 нм
	уровень легирования	10¹⁷ - 10¹⁸см³
	порог лазерного разрушения (1064 нм, 10 нс)	500 МВт/см²
	время жизни верхнего лазерного уровня	3,6 мс (300 K)
	квантовый выход	12% (300 K)
	сечение поглощения (1064 нм)	5·10^-18 см²
	сечение излучения (1420 нм)	4,5·10^-19 см²

Кристаллы АИГ:Cr⁴⁺ для непрерывного режима работы

Параметры кристалла
	Ориентация	[100] в пределах одного градуса
	Поглощение на 1064 нм	1 см^-1; 2,2 см^-1
Размер:
	диаметр	3 мм; 5 мм;
	длина	20 мм; 10 мм
	допуск: по диаметру по длине	± 0,1 мм ± 0,5 мм
Конфигурация	Возможна поставка двух типов элементов: - стержень с плоскими торцами и с отражающими покрытиями - стержень с брюстеровскими гранями
Плоскостность		1/10 длины волны
Параллелизм		в пределах 10 ''
Перпендикулярность		в пределах 1 '
Царапины, выколки		10^-5 MIL-O-13830A
Отражение (на 1,4 ... 1,5 мкм)		менее 0,2%

Кристаллы АИГ:Cr⁴⁺ для импульсного режима работы

Параметры кристалла:
	ориентация	[100] в пределах одного градуса
	поглощение на 1064 нм	1 см^-1; 2,2 см^-1
Размер:
	диаметр	3 мм; 5 мм;
	длина	20 мм; 10 мм
	допуск: по диаметру по длине	± 0,1 мм ± 0,5 мм
Конфигурация	Возможны 2 конфигурации: - Стержень с плоскими торцами - Стержень с антиотражающими покрытиями
Плоскостность		1/10 длины волны
Параллелизм		в пределах 10 ''
Перпендикулярность		в пределах 1 '
Царапины, выколки		10^-5 MIL-O-13830A
Отражение (на 1,4 ... 1,5 мкм)		менее 0,2%

АИГ:Cr⁴⁺ Пассивный модулятор добротности на кристалле

Особенности:

Высокий порог лазерного разрушения
Высокая контрастность
Малые потери
Широкий спектральный диапазон
Малые габариты
Устойчивость к радиационному излучению
Широкий температурный диапазон: -60 ... +60 °C

Технические характеристики

Длина волны	950 ... 1100 нм
Начальное пропускание	15 ... 90 %
Начальный коэффициент поглощения	0,05 ... 3 см^-1
Апертура	5 ... 12 мм
Контраст	более 8 ... 10
Оптическая длина	1 ... 40 мм
Порог лазерного разрушения	более 4 Дж/см²
Долговременная стабильность	более 15 лет

Данные технические характеристики могут быть оптимизированы по требованию покупателя.

Кристаллы АИГ:Cr, Tm, Ho Характеристики

Длина волны	2,08 мкм
Легирующие примеси	Cr, Tm, Ho
Размер: диаметр длина	5; 6,3; 8 мм 50; 80; 100 мм
Эффективность*	более 3%
Порог	менее 20 Дж
Выходная энергия излучения*	более 2 Дж
Антиотражающие покрытия	менее 0,2 %

* - кристаллы размером 5 x 100 мм, накачка Xe-лампой с энергией 100 Дж, 250 мкс, выходным зеркалом 7%

Кристаллы АИ:Er

   Кристаллы алюмината иттрия YAlO₃ (АИ) широко используются в качестве активных элементов твердотельных лазеров. Они имеют великолепные физические характеристики (близкие к кристаллам АИГ) и могут эффективно использоваться для аналогичных применений.
   Использование кристалла АИ:Er в лазерах, работающих на безопасной для зрения длине волны 1660 нм, является необычным, так как необходимо исключить эффект соляризации под действием УФ-излучения импульсной лампы накачки. Дополнительное легирование другими примесями дает возможность предотвратить окрашивание кристалла под действием лампы накачки и достигнуть высокой эффективности излучения на длине волны 1660 нм в безопасной для зрения области.
   Кристаллы АИ:Er являются перспективными для безопасных для зрения лазеров, работающих в режиме модуляции добротности с высокой частотой повторения на длине волны 1660 нм.

Кристаллографические и тепловые свойства

Плотность	5,35 г·см^-3
Постоянная решетки	a = 5,176 A b = 5,307 A c = 7,355 A
Коэффициент термического расширения	9,5·10^-6 K^-1 вдоль оси a 4,3·10^-6 K^-1 вдоль оси b 10,8·10^-6 K^-1 вдоль оси c
Теплопроводность	0,11 Вт·см^-1·K^-1
Твердость по Кноппу	977 кг·мм^-2 вдоль оси a
Диапазон прозрачности	220 ... 6500 нм
Коэффициент преломления	n_a = 1,929 n_b = 1,943 n_c = 1,952
dn/dt	dn_a / dt = 9,7·10^-6 K^-1 dn_c / dt = 14,5·10^-6 K^-1
Время жизни состояния ⁴S_3/2	130 мкс

Кристаллы корунда с титаном
Технические характеристики

Диапазон перестройки	680 ... 1100 нм
Диапазон накачки	450 ... 532 нм
Коэффициент поглощения на 510 нм	0,5 ... 2,5 см^-1
FOM	более 200
Ориентация	90° к оси с
Геометрия элемента	Стержень с плоскими торцами или брюстеровскими скосами

Полированные кристаллы Ce:Lu₂SiO₅

Научно-исследовательский институт "Полюс" предлагает новый материал для счетчиков рентгеновского и гамма- излучений. Кристаллы Ce:Lu₂SiO₅ также могут использоваться для визуализации УФ излучения.

Особенности:

Размер 10 x 10 x 10 мм
Эффективность сцинциляции кристалла Ce:Lu₂SiO₅ не менее 70% по сравнению с NaJ(TI) при возбуждении гамма-излучением с энергией 1 MeВ
Скорость отклика около 15 нс

Россия, 117342, Москва, ул.Введенского, д.3
тел.: (095) 333 0389 факс: (095) 333 0256
e-mail: mail@polyus.msk.ru

http://www.polyus.msk.ru