ПОЛЮС
Products About News Form

Лазерные диоды
Отделение полупроводниковой квантовой техники было основано незадолго до получения эффекта генерации стимулированного излучения на p-n переходе в GaAs. В настоящее время основные усилия разработчиков направлены на следующие применения:
  • Лазерные указатели
  • Накачка твердотельных лазеров
  • Приемно-передающие модули для ВОЛС
  • Полупроводниковые лазеры для медицинских применений
DiodeDiode
 Diode Сегодня Научно-исследовательский институт "ПОЛЮС" выпускает более 40 моделей лазерных диодов, излучающих в диапазоне 635 ... 1550 нм




Лазерные диоды непрерывного режима генерации

Характеристики (T=25°C)
Модель Длина волны излучения,
нм
Мощность излучения,
мВт
Рабочий ток накачки,
мА
Рабочее напряжение,
B
Пороговый ток,
мА
Расходимость,
град.
Ширина линии излучения (FWHM),
нм
Ширина полоска,
мкм
Лазерные диоды видимого диапазона
MOCVD AlGaInP квантоворазмерные структуры
IDL5S-640635...640550 2.34010 x 352.05
IDL10S-650645...66010 602.43510 x 302.05
IDL15S-670660...6801555 2.33510 x 302.05
IDL20M-635630...64020 1602.51608 x 302.012
IDL30M-670660...68030 1602.4908 x 302.012
IDL50M-670660...68050 2002.510010 x 352.015
IDL100M-670670...6901002602.5 10010 x 352.030
IDL250M-670670...680250 5002.530010 x 352.0100
IDL250M-680680...690250 5002.530010 x 352.0100
Одномодовые лазерные диоды ИК диапазона
MOCVD GaAlAs квантоворазмерные структуры
IDL5S-760755...7655752.2 5510 x 351.53
IDL10S-770770...78010 802.2458 x 301.53
IDL100S-780770...790100180 2.2558 x 301.53
IDL50S-810800...82050 1302.2310 x 401.530
IDL100S- 810800...820100160 2.2310 x 351.530
IDL50S-830820...84050 1202.22510 x 301.53
IDL100S-830820...840100160 2.23510 x 351.53
IDL50S-850840...87050 1502.24010 x 351.53
IDL100S-850840...880100160 2.23510 x 351.53
IDL50S-875860...88050 1302.13010 x 301.53
IDL50S-900870...91050180 2.24010 x 301.53
IDL50S-915910...92050 802.23010 x 301.53
IDL100S-920915...925100170 2.23510 x 301.53
MOCVD InGaAs квантоворазмерные структуры
IDL50S-980960...99050130 2.33510 x 303.03
IDL100S-980960...990100 2102.44010 x 303.03
MOCVD InGaAsP структуры
IDL5S-13001270...1330550 1.53020 x 353.02.5
IDL10S-13001270...133010 751.83020 x 353.02.5
IDL15S-13001270...133015100 2.03020 x 353.02.5
IDL20S-13001270...133020 951.62020 x 353.03.5
IDL30S-13001270...133030120 1.752020 x 353.03.5
IDL40S-13001270...133040 1802.12520 x 353.04.0
IDL50S-13001270...133050200 2.32520 x 353.04.0
IDL100M-13001270...1330100 3503.55020 x 353.56.0
IDL30S-15501520...158030150 2.02520 x 353.04.0
IDL100M-15501520...1580100 4002.45020 x 353.56.0


Высокомощные лазерные диоды на основе AlGaAs и InGaAs

Характеристики (T=25°C)
Модель Длина волны излучения,
нм
Мощность излучения,
мВт
Рабочий ток накачки,
мА
Рабочее напряжение,
B
Пороговый ток,
мА
Расходимость,
град
Ширина линии излучения (FWHM),
нм
Ширина полоска,
мкм
IDL100M-808805...811100 3002.21808 x 303100
IDL250M-808805...811250 4502.018012 x 35380
IDL500M-808805...811500 9002.023012 x 353120
IDL1000M-808805...8111000 14002.23508 x 303100
IDL200M-830820...840200 4502.218012 x 35330
IDL250M-850830...870250 4502.018012 x 35380
IDL500M-980960...990500 8001.815012 x 321050
IDL1000M-980960...990 1000 15001.920012 x 3210100
IDL500M-1020990...1040500 9001.920012 x 3210100
IDL1000M-1020990...10401000 17002.025012 x 3210100

IDL120M-915905...9251201802.43510 x 3533x1,5


Импульсные лазерные диодные решетки

Характеристики (T=25°C)
Модель Импульсная выходная мощность,
Вт
Частота повторения импульсов,
Гц
Длительность импульса,
нс
Ток накачки,
А
Напряжение на решетке,
В
Расходимость,
град.
Спектральная ширина линии (FWHM),
нм
Габариты тела свечения,
мм
Точность позиционирования,
мкм
Многомодовые лазерные диоды серии IDLP-810 (800 ... 820 нм)
IDLP50M-8105010000100 222625x1030,4x0,4±500
IDLP100M-81010010000 100402025x1030,8x0,3±500
IDLP200M-8102005000100 405025x1030,8x0,8±500
IDLP500M-8105005000 100605025x1031,4x1,4±500
Многомодовые лазерные диоды серии IDLP-905 (900 ... 905 нм)
IDLP50M-9055010000100 222640x1230,4x0,4±500
IDLP100M-90510010000 100402040x1230,8x0,3±500
IDLP200M-9052005000100 405040x1230,8x0,8±500
IDLP500M-9055005000 100605040x1231,4x1,4±500


Импульсные полупроводниковые лазеры

Характеристики (T=25°C)
Модель Импульсная выходная мощность,
Вт
Частота повторения импульсов,
Гц
Длительность импульса,
нс
Ток потребления,
А
Напряжение питания,
В
Расходимость,
град.
Спектральная ширина линии (FWHM),
нм
Габариты тела свечения,
мм
Точность позиционирования,
мкм
Серия LPI-805 (800 ... 810 нм)
LPI-50M-805501000 ... 5000100 0,11825x1030,4x0,4±500
LPI-100M-8051001000 ... 5000 1000,21825x1030,4x0,4±500
LPI-150M-8051501000 ... 5000100 0,121825x1030,4x0,8±500


Оптические модули на суперлюминесцентных диодах

Характеристики (T=25°C)
Модель Длина волны излучения,
нм
Мощность на выходе волокна,
мВт
Рабочий ток,
мА
Рабочее напряжение,
В
Ширина линии излучения (FWHM),
нм
Глубина модуляции спектра модами Фабри-Перо,
%
Амплитуда вторичного пика когерентности,
дБ
SLD-820810...8600.5 1202.4201.0- 50
SLD-13001270...13300.4 3002.0302.0 

Высокочастотные лазерные модули

Лазерные модули для телекоммуникаций
Модель Длина волны излучения,
нм
Мощность на выходе волокна,
мВт
Рабочий ток,
мА
Полоса частот модуляции,
ГГц
Ширина линии излучения (FWHM),
нм
Относительная интенсивность шума,
дБ/Гц
Фототок управляющего фотодиода,
мкА
POM-1913004.0 856...105-13460
POM-19-113001.0 600.001...63-13020


Полупроводниковый оптический усилитель

Характеристики (T = 25 °C)
ПараметрыУсловия работыMINTYP.MAX
Длина волны, нмCW, Gain=10 дБ153015501580
Напряжение, ВCW, If=200 мА--2
Усиление "волокно-волокно", дБCW, If=200 мА810-
Чувствительность на входе, дБмCW, Gain=10 дБ-30--
Ток смещения, мАCW, Gain=10 дБ-200250
Поляризационная чувствительность, дБCW, If=200 мА-3-
Ширина спектра, нмCW, If=200 мА3040-

Диапазон рабочих температур-40...+60 °C
Ток термоохладителя0,5 A
Сопротивление термистора15 кОм

Лазерные модули с волоконной брэгговской решеткой (FBG)

Особенности
  • Непрерывный или импульсный режим работы
  • Одномодовый режим
  • Волоконная брэгговская решетка
  • Ширина линии излучения <500 кГц
  • Встроенный InGaAsP фотодиод обратной связи
  • Герметичный 14-pin DIL корпус
    Лазерные модули с волоконной брэгговской решеткой ПОМ-21, ПОМ-22 и ПОМ-23 работают в одномодовом режиме на длинах волн 1060, 1300, 1550 нм. Для стабилизации и контроля температуры используются термоэлектрический холодильник и термистор. Модули ПОМ-21, ПОМ-22 и ПОМ-23 применяются в оптоволоконных датчиках, лазерах и усилителях.

Характеристики (T = 25 °C)
 ПОМ-21ПОМ-22ПОМ-23
Длина волны излучения, нм106013001550
Ширина спектра, кГц<500<500<500
Выходная мощность в волокне, мВт3...103...53...5
Пороговый ток, мА10...3030...6030...60
Рабочий ток, мА60...120100...150100...150
Время нарастания импульса, нс< 0,5< 0,5< 0,5
Рабочее напряжение, В1,72,02,0
Фототок управляющего фотодиода, мкA> 40> 40> 40
Рабочая температура, °C-40...+60
Ток холодильника, A0,5
Напряжение фотодиода, В5,0
Сопротивление термистора, кОм15

Светодиодные передающие модули

Передающие модули СПМ-50/50M/50СТ на основе высокоэффективных суперлюминесцентных светодиодов предназначены для использовния в цифровых волоконно-оптических системах передачи информации в кодах любых типов в качестве преобразователей электрических импульсов в оптические. Модули имеют оптический выход в виде отрезка многомодового (50/125 мкм) или одномодового (9/125 мкм) волоконно-оптического кабеля с оптической вилкой стандарта "ЛИСТ-Х", FC, ST или без таковой.

Отличительные особенности

Характеристики (T = 25 °C)
МодельСкорость передачи данных,
Мбит/с
Длина волны излучения,
мкм
Мощность излучения,
мВт
Уровни выходного сигналаТип выходного волокна
СПМ-50/50M-1 0...500,850,5...2,0TTLмногомодовое
СПМ-50/50M-20,05...0,2одномодовое
СПМ-50CT-11,0...10многомодовое
СПМ-50CT-20,1...1,0одномодовое
СПМ-50/50M-10...501,3 ; 1,5 0,02...0,1TTLмногомодовое
СПМ-50/50M-20,01...0,02одномодовое
СПМ-50CT-10,1...1,0многомодовое
СПМ-50CT-20,05...0,2одномодовое

Диапазон рабочих температур-40...+55 °C
Напряжение питания5 В
Ток потребленияне более 300 мA
Наработка на отказне менее 50000 ч

Лазерные передающие модули ЛПМ

Лазерные передающие модули ЛПМ предназначены для использования в цифровых волоконно-оптических системах передачи информации со скоростями от 2 до 622 Мбит/с для кодов типа CMI в качестве преобразователя электрических импульсов в оптические. Модули имеют оптический выход в виде отрезка многомодового (50/125 мкм) или одномодового (9/125 мкм) волоконно-оптического кабеля с вилкой стандарта "ЛИСТ-Х", FC, ST или без таковой.

Особенности

Характеристики (T = 25 °C)
МодельСкорость передачи данных,
Мбит/с
Длина волны излучения,
мкм
Мощность излучения,
мВт
Уровни выходного сигналаТип выходного волокна
ЛПМ-(2,8,34,155)M-1 0,5...2,
1...8,
8...34,
34...155
0,85 10...50TTL,
PECL
многомодовое
ЛПМ-(2,8,34,155)M-21...10одномодовое
ЛПМ-(2,8,34,155)-110...50многомодовое
ЛПМ-(2,8,34,155)-21...10одномодовое
ЛПМ-(2,8,34,155)CT-110...70многомодовое
ЛПМ-(2,8,34,155)CT-21...20одномодовое
ЛПМ-(2,8,34,155,622)M-1 0,5...2,
1...8,
8...34,
34...155,
300...622
1,3;
1,55
0,1...2,0TTL,
PECL
многомодовое
ЛПМ-(2,8,34,155,622)M-20.1…1.0одномодовое
ЛПМ-(2,8,34,155,622)-10.1…2.0многомодовое
ЛПМ-(2,8,34,155)-21…10одномодовое
ЛПМ-(2,8,34,155,622)CT-10.5…20многомодовое
ЛПМ-(2,8,34,155,622)CT-20.5…20одномодовое


Диапазон рабочих температур-40...+55 °C
Напряжение питания5 В
Наработка на отказне менее 10000 ч (50000 ч для ЛПМ-СТ)

Контрольно-измерительные передающие модули ИОС

Контрольно-измерительные передающие модули ИОС предназначены для преобразования электрических сигналов в оптические.

Особенности Характеристики (T = 25 °C)
МодельДлина волны излучения,
мкм
Мощность излучения в волокне d=50 мкм,
мВт
Время нарастания переходной характеристики,
нс
Ток накачки,
мА
ИОС-1 0,651,010050
ИОС-20,8510 1,0200
ИОС-31,31,0 0,5100
ИОС-41,551,0 0,5100

Россия, 117342, Москва, ул.Введенского, д.3
тел.: (095) 333 0389 факс: (095) 333 0256
e-mail: mail@polyus.msk.ru

http://www.polyus.msk.ru